手機V-charge端口ESD和EOS防護(hù)方案整改

針對手機V-charge端口防護(hù)，有客戶反饋，使用單顆12V靜電ESD保護(hù)二極管（有客戶習(xí)慣把ESD二極管稱為TVS）作為端口浪涌防護(hù)器件，浪涌測試后，系統(tǒng)開機失敗。為了解決這個現(xiàn)象，客戶特意向杭州東沃電子（DOWOSEMI）請教這個問題，并希望能夠提出意見并整改好好這個方案。經(jīng)過失效分析結(jié)果顯示，ESD二極管和后級IC均有損壞點。實驗室復(fù)現(xiàn)失效，器件表面塑封體熔融，器件內(nèi)部芯片呈現(xiàn)較大區(qū)域燒毀點，確定為長時間過電壓導(dǎo)致失效。

針對這個現(xiàn)象，東沃電子FAE工程師提出了解決方法和整改方案，具體詳情如下：

1）受測設(shè)備：手機；

2）測試標(biāo)準(zhǔn)：IEC61000-4-5，1.2/50-8/20us，2Ω，EOS 350V, DC 24V；

3）解決方法：更換24V 靜電ESD保護(hù)二極管器件作為端口浪涌防護(hù)器件，并搭載型號為WP3116的OVP器件，浪涌測試等級可至350V浪涌等級測試，同時滿足DC 24V直流耐壓測試； 

4）整改后優(yōu)勢：更換浪涌防護(hù)等級更高的24V靜電ESD保護(hù)二極管器件進(jìn)行浪涌防護(hù)，同時殘余能量被后級OVP吸收。測試直流耐壓時，靜電ESD保護(hù)二極管不動作，OVP進(jìn)行過壓關(guān)斷，從而起到更好保護(hù)。